一般說明

LM9061是一種電荷泵裝置，它提供門驅(qū)動(dòng)到任何尺寸的外部功率MOSFET配置作為高壓側(cè)的駕駛員或開關(guān)。CMOS邏輯兼容電路開/關(guān)輸入控制輸出柵極驅(qū)動(dòng)電壓。在在ON狀態(tài)下，電荷泵電壓遠(yuǎn)高于可用的VCC電源，直接應(yīng)用于MOSFET。內(nèi)置15V齊納鉗制最大的門MOSFET的源電壓。當(dāng)命令關(guān)閉時(shí)110μA電流接收器對(duì)MOSFET的漸變關(guān)斷特性使其最小化感應(yīng)負(fù)載瞬態(tài)電壓的持續(xù)時(shí)間保護(hù)功率MOSFET。功率MOSFET的無損保護(hù)是LM9061。通過電源設(shè)備的電壓降（VDS）持續(xù)監(jiān)測，并與外部可編程閾值電壓進(jìn)行比較。小電流感應(yīng)電阻與負(fù)載串聯(lián)，導(dǎo)致?lián)p耗保護(hù)電路不需要可用能量。如果VDS電壓由于負(fù)載電流過大，超過閾值電壓，輸出在更漸進(jìn)的方式（通過10μa輸出電流匯）可編程延遲時(shí)間間隔后。專為汽車應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)LM9061的工作溫度范圍很廣−40˚C至+125˚C，在VCC高達(dá)26V的情況下保持運(yùn)行，并且可以承受60V電源瞬變。LM9061可用于8針小外形表面安裝封裝。

特征

內(nèi)置電荷泵，用于高壓側(cè)柵極過驅(qū)動(dòng)

驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用程序

功率MOSFET的無損保護(hù)

可編程MOSFET保護(hù)電壓

保護(hù)閂鎖關(guān)閉的可編程延遲

快速開啟（柵極電容為25000磅/平方英尺）

過電壓關(guān)斷，VCC>26V

可承受60V電源瞬變

CMOS邏輯兼容開/關(guān)控制輸入

提供8針SOIC（SO-8）封裝

應(yīng)用

閥、繼電器和電磁閥驅(qū)動(dòng)器

燈驅(qū)動(dòng)器

直流電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng)器

邏輯控制電源分配開關(guān)

電子斷路器

絕對(duì)額定值（注1）

電源電壓60V

反向供電電流20毫安

輸出電壓VCC+15V

感測和閾值電壓（至1 kΩ）−25V至+60V

開/關(guān)輸入電壓−0.3V至VCC+0.3V

結(jié)溫150˚C

儲(chǔ)存溫度−55˚C至+150˚C

引線溫度

焊接，10秒260˚C

工作額定值（注2）

電源電壓7V至26V

開/關(guān)輸入電壓−0.3V至VCC

環(huán)境溫度范圍−40˚C至+125˚C

熱阻（θJ-A）

LM9061M 150°C/W

直流電特性7V≤VCC≤20V，RREF=15.4KΩ，−40˚C≤TJ≤+125˚C，除非另有規(guī)定明確規(guī)定。

交流調(diào)速特性7V≤VCC≤20V，RREF=15.4KΩ，−40˚C≤TJ≤+125˚C，CLOAD=0.025μF，CDELAY=0.022μF，除非另有規(guī)定。

注1：絕對(duì)最大額定值表示設(shè)備可能發(fā)生損壞的極限值。

注2：工作額定值表示設(shè)備預(yù)期工作的條件，但可能不滿足保證的特定性能限制。為保證的規(guī)格和試驗(yàn)條件見電氣特性。

注3：ESD人體模型：100 pF通過1500Ω電阻放電。

注4:TOFF的交流定時(shí)規(guī)范未經(jīng)生產(chǎn)測試，因此不作特別保證。限值僅供參考只有。較小的負(fù)載電容將相應(yīng)地加快開啟和關(guān)閉時(shí)間。

典型工作波形

典型工作波形（續(xù)）

典型電氣特性

申請(qǐng)信息

基本操作

LM9061包含一個(gè)電荷泵電路，可產(chǎn)生電壓超過施加的電源電壓柵極驅(qū)動(dòng)電壓功率MOSFET晶體管。任何尺寸N溝道功率MOSFET，包括用于非常高電流應(yīng)用的多個(gè)并聯(lián)連接MOSFET，可以用于向接地參考負(fù)載電路供電所謂的“高端驅(qū)動(dòng)”應(yīng)用。圖1顯示了LM9061的基本應(yīng)用。

當(dāng)邏輯“1”輸入指令到引腳7時(shí)，門驅(qū)動(dòng)輸出，引腳4，迅速上升到VCC電源電位在針腳5處。一旦柵極電壓超過柵極源MOSFET的閾值電壓，VGS（ON），（源是通過負(fù)載接地）MOSFET轉(zhuǎn)動(dòng)打開并將電源電壓連接到負(fù)載。和在電源電位附近，電荷泵繼續(xù)提供大于電源的柵極電壓保持MOSFET的開啟。為了保護(hù)大門MOSFET，LM9061的輸出電壓被鉗制到將最大VG限制在15V。在MOSFET柵極的輸出電流來自VCC電源引腳。VCC引腳應(yīng)通過電容器，其值至少為柵極電容的10倍，且不小于0.1μF門極通常為30 mA，VCC為14V，門極為當(dāng)柵極電壓上升到VCC時(shí)，輸出電流將減少。當(dāng)柵極電壓達(dá)到VCC時(shí)，輸出電流通常為1mA，VCC為14V。引腳7上的邏輯“0”關(guān)閉MOSFET。當(dāng)命令關(guān)閉時(shí)，110μa電流接收器連接到輸出引腳。此電流放電的柵電容MOSFET線性化。當(dāng)柵極電壓等于電源電壓（接近電源電壓）加上MOSFET的VGS（ON）閾值，源電壓開始跟隨柵極電壓向地面傾斜。即使實(shí)際上源電壓等于0V，柵極繼續(xù)斜坡到零，從而關(guān)閉電源設(shè)備。這個(gè)在某些應(yīng)用中，逐漸關(guān)斷特性（而不是柵極驅(qū)動(dòng)的突然復(fù)位）可以最小化MOSFET中的功耗或縮短持續(xù)時(shí)間負(fù)瞬變，如驅(qū)動(dòng)感應(yīng)式荷載。如果電源出現(xiàn)應(yīng)力過大的情況裝置的關(guān)斷特性更為平緩輸出陷波電流僅為10μA（參見保護(hù)電路部分）。

打開和關(guān)閉特性

施加在柵極上的電壓的實(shí)際變化率功率器件的功率直接依賴于所用MOSFET的輸入電容。這些時(shí)間很重要知道是否要重復(fù)向負(fù)載供電與脈寬調(diào)制驅(qū)動(dòng)一樣。關(guān)注是柵極到漏極的電容，CGD和柵極之間的電容來源，CGS。圖2詳細(xì)說明了打開和關(guān)閉典型應(yīng)用中的間隔。用一個(gè)感性負(fù)載來說明預(yù)期的輸出瞬態(tài)電壓。在時(shí)間t1，開/關(guān)輸入變高。輸出，它驅(qū)動(dòng)MOSFET的柵極，立即拉動(dòng)LM9061 VCC電源的柵極電壓。這個(gè)來自引腳4的源電流通常為30毫安，這很快向CGD和CGS收費(fèi)。一旦大門到達(dá)MOSFET的VGS（ON）閾值，開關(guān)打開并電源電壓開始向VCC上升。VGS殘留等于閾值電壓直到電源達(dá)到VCC。當(dāng)VGS不變時(shí)，只有CGD在充電。當(dāng)源電壓達(dá)到VCC，在時(shí)間t2，電荷泵接管柵極的驅(qū)動(dòng)，以確保MOSFET保持打開狀態(tài)。

電荷泵基本上是一個(gè)小的內(nèi)部電容器獲取電荷并將其傳輸?shù)捷敵鲆_。時(shí)鐘速率通常在內(nèi)部設(shè)置為300 kHz。實(shí)際上是指控泵充當(dāng)開關(guān)電容電阻器（大約67k）連接到鉗制在13V以上的電壓LM9061的檢測輸入引腳等于VCC在典型應(yīng)用中提供。柵極電壓上升到VCC呈指數(shù)形式，時(shí)間常數(shù)取決于CGD和CGS之和。但此時(shí)負(fù)載完全通電。在時(shí)間t3，充油泵達(dá)到它的最大電位和開關(guān)保持接通。在時(shí)間t4，開/關(guān)輸入變低以關(guān)閉MOSFET并切斷負(fù)載的電源。此時(shí)充電泵斷開，內(nèi)部110μA電流sink開始將柵極輸入電容放電到接地。放電率（∆V/∆T）等于110μA/（CGD）+CGS）。負(fù)載仍然完全通電，直到時(shí)間t5電壓已達(dá)到源電壓（VCC）的電位加上MOSFET的VGS（ON）閾值電壓。雙方時(shí)間t5和t6，VGS電壓保持恒定，并且源電壓跟隨柵極電壓。在電壓開啟的情況下CGD保持不變，現(xiàn)在放電速率變?yōu)?10μA/CGD。在時(shí)間t6，隨著柵極的移動(dòng)，源電壓達(dá)到0V低于VGS（ON）閾值，MOSFET試圖關(guān)閉。如果負(fù)載中的電流沒有在時(shí)間t6時(shí)崩潰為零，MOSFET的作用關(guān)閉將產(chǎn)生負(fù)電壓瞬態(tài)（反激）

申請(qǐng)信息（續(xù)）

−VGS（開），因?yàn)镸OSFET必須重新打開繼續(xù)傳導(dǎo)負(fù)載電流，直到電感已經(jīng)消散（在時(shí)間t7）。MOSFET保護(hù)電路LM9061的一個(gè)獨(dú)特特點(diǎn)是能夠感知MOSFET中的過度功耗并將其鎖定到防止永久性故障。而不是感覺到通過MOSFET流向負(fù)載的電流通常需要一個(gè)小功率電阻串聯(lián)負(fù)載，LM9061監(jiān)控從漏極到源，VDS，穿過MOSFET。這種“無損”技術(shù)允許電源提供的所有能量按要求加載。唯一的動(dòng)力損失是MOSFET本身的選擇和特定的應(yīng)用程序的電源設(shè)備將最大程度地減少此問題。此技術(shù)的另一個(gè)好處是所有應(yīng)用程序都使用僅標(biāo)準(zhǔn)廉價(jià)的1/4W或更小電阻器。為了利用這種無損保護(hù)技術(shù)，需要了解所用功率MOSFET的關(guān)鍵特性。在保護(hù)重點(diǎn)可以放在任何應(yīng)用上無論是功率MOSFET還是電流量在假定選定的MOSFET可以安全地處理最大負(fù)載電流。

為了保護(hù)MOSFET不超過其最大接合溫度額定值，功率消耗需要有限的。允許的最大功耗（降低溫度）和最大漏源導(dǎo)通電阻RDS（開），兩者均處于最大工作環(huán)境下溫度，需要確定。打開時(shí)MOSFET中的功耗將為：

限制最大功耗的VDS電壓為因此：

在這種限制下，獲得的實(shí)際負(fù)載電流和功率差異將是實(shí)際RDS（ON）的直接函數(shù)在任何特定環(huán)境溫度下功率器件的結(jié)溫超過其額定最大值。限制最大負(fù)載電流需要估計(jì)MOSFET的最小RDS（開）（最小RDS（開）很少指定分立MOSFET）超過要求工作溫度范圍。負(fù)載的最大電流為：

MOSFET的最高結(jié)溫和/或負(fù)載的最大電流可由監(jiān)視器限制-

申請(qǐng)信息（續(xù)）

設(shè)置排水管的最大工作值源電壓降，VDS。此外，如果負(fù)載無意中對(duì)地短路，電源設(shè)備將自動(dòng)關(guān)閉。在所有情況下，是否應(yīng)通過內(nèi)置保護(hù)比較器，輸出漏電流為切換到僅10μA以逐漸關(guān)閉電源設(shè)備。圖3說明了內(nèi)部建立保護(hù)比較器。兩個(gè)電阻連接MOSFET的漏極和源極到LM9061。感應(yīng)輸入管腳1監(jiān)控信號(hào)源當(dāng)閾值輸入針腳2連接到排水管，也連接到恒定負(fù)載功率供應(yīng)。這兩個(gè)輸入都是保護(hù)比較器的兩個(gè)輸入。感應(yīng)輸入端的電壓低于閾值輸入電壓，保護(hù)比較器輸出變高，啟動(dòng)自動(dòng)閂鎖關(guān)閉功能，以保護(hù)電源設(shè)備。因此直接測量比較器的開關(guān)閾值電壓允許通過MOSFET控制的最大值在傳導(dǎo)負(fù)載電流時(shí)。閾值電壓由電壓降設(shè)定電阻器RTHRESHOLD。電阻6的參考電流是固定的。為了精確調(diào)節(jié)基準(zhǔn)電流過溫，一種穩(wěn)定的帶隙基準(zhǔn)源提供電壓來偏置恒流匯。這個(gè)參考電流通過以下方式設(shè)置：

參考電流接收器輸出內(nèi)部連接到閾值引腳。然后IREF從負(fù)載電源流出通過RTHRESHOLD。固定電壓降RTHRESHOLD大約等于最大值在保護(hù)比較器跳閘前，通過MOSFET的VD。必須注意編程的參考電流由于內(nèi)部用于偏壓，因此有多種用途而且對(duì)內(nèi)部電荷泵也有直接的影響開關(guān)頻率。對(duì)LM9061進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)對(duì)于約80μa的參考電流，設(shè)置RREF為15.4 kΩ±1%電阻器。獲得擔(dān)保性能特征建議15.4 kΩ電阻器用于RREF。保護(hù)比較器配置為正常工作，當(dāng)比較器輸出低時(shí)，比較器的差分輸入級(jí)在實(shí)際上沒有電流流入比較器的非反相輸入。因此，只有IREF流經(jīng)電阻器RTHRESHOLD。所有的輸入偏差比較器輸入級(jí)的最大電流為20μA（最高10μA的ISENSE規(guī)格的兩倍對(duì)于每個(gè)比較器輸入端的電位相等）如何通過電阻RSENSE流入逆變輸入端。在比較器閾值，通過RSENSE的電流為不超過10μA的ISENSE規(guī)范。

要為任何特定應(yīng)用定制VDS（最大）閾值，可根據(jù)以下公式選擇電阻器RTHRESHOLD：

其中RREF=15.4 kΩ，ISENSE是保護(hù)比較器，RSENSE是連接到引腳1和VOS是保護(hù)組件的偏移電壓（通常在±10 mV范圍內(nèi)）。電阻器RSENSE是可選的，但強(qiáng)烈建議對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)，以便為感測管腳提供瞬態(tài)保護(hù)，尤其是在驅(qū)動(dòng)感應(yīng)型負(fù)載時(shí)。最低限度值為1 kΩ將保護(hù)銷不受以下范圍的瞬態(tài)影響-25V至+60V。該電阻應(yīng)等于或小于，用于電阻保持的電阻器。不要將RSENSE設(shè)置為值大于RTHRESHOLD。當(dāng)保護(hù)組件輸出變高時(shí)，輸入的總偏置電流階段從檢測引腳轉(zhuǎn)移到閾值引腳，從而改變輸入端的電壓比較器。用于比較器右側(cè)的一致切換在期望的閾值點(diǎn)，在非反轉(zhuǎn)輸入（閾值）應(yīng)等于或超過，逆變輸入端的電壓升高（感應(yīng)）。

在汽車應(yīng)用中，負(fù)載電源可能是車輛的電池，而LM9061的VCC電源是開關(guān)點(diǎn)火電源。當(dāng)VCC電源切換時(shí)關(guān)斷時(shí)，人們總是關(guān)心電流的大小電池電量耗盡。這下面唯一的電流消耗條件是進(jìn)入閾值引腳的泄漏電流小于10μA。在RREF上的旁路電容器是可選的，用于有助于在應(yīng)用中保持參考電壓恒定如果VCC電源受到高水平瞬態(tài)的影響噪音。該旁路電容器不應(yīng)大于0.1μF，大多數(shù)應(yīng)用不需要。

延時(shí)定時(shí)器

為了使MOSFET能夠在短時(shí)間內(nèi)傳導(dǎo)超過保護(hù)閾值的電流，可以使用延時(shí)定時(shí)器提供功能。這個(gè)定時(shí)器延遲了實(shí)際的鎖存在可編程的時(shí)間間隔內(nèi)關(guān)閉MOSFET。這種特性對(duì)于驅(qū)動(dòng)需要浪涌的負(fù)載非常重要啟動(dòng)時(shí)電流超過正常通電電流，或在任何時(shí)間點(diǎn)，比如燈和馬達(dá)。圖4詳細(xì)介紹了延遲定時(shí)器電路。電容器延遲引腳8接地設(shè)置延遲時(shí)間間隔。與MOSFET打開，所有條件正常，保護(hù)比較器的輸出低，這將保持放電晶體管打開。這個(gè)晶體管保持延遲電容器放電。如果負(fù)載電流浪涌跳閘保護(hù)比較器高，放電晶體管轉(zhuǎn)動(dòng)關(guān)閉，內(nèi)部10μA電流源線性開始給延遲電容器充電。如果過大VDS電壓的浪涌電流持續(xù)很長時(shí)間足夠電容器給定時(shí)比較器充電閾值通常為5.5V，比較器的輸出將

申請(qǐng)信息（續(xù)）

設(shè)置一個(gè)觸發(fā)器并立即鎖定MOSFET關(guān)閉。在ON/OFF輸入被切換到低電平之前，它不會(huì)重新啟動(dòng)那么高。延遲時(shí)間間隔通過選擇CDELAY和可從中找到：
其中VTIMER=5.5V，IDELAY=10μA。

延遲電容器的充電被固定在7.5V是10μA電流的內(nèi)部偏壓來源

最小延遲時(shí)間

所有應(yīng)用都要求最小延遲時(shí)間間隔由于保護(hù)電路的性質(zhì)。就在MOSFET被命令打開，電壓穿過MOSFET，VDS，等于滿載供電電壓，因?yàn)殡娫幢回?fù)載固定在地上。這種情況將立即使保護(hù)比較器跳閘。沒有設(shè)置最小延遲時(shí)間，定時(shí)比較器將跳閘迫使MOSFET閂鎖，從而不允許要通電的負(fù)載。為了防止這種情況，在引腳處需要一個(gè)延遲電容器8選擇最小電容值以確保正確啟動(dòng)主要取決于負(fù)載特性MOSFET需要多少時(shí)間來提高負(fù)載電壓到感應(yīng)輸入更多的點(diǎn)大于閾值輸入（t啟動(dòng)）。如果需要特定的最小延遲時(shí)間特性，則需要一些實(shí)驗(yàn)。因此：

在沒有特定延遲時(shí)間要求的情況下，一個(gè)值對(duì)于CDELAY，建議為0.1μF。

過電壓保護(hù)

LM9061將在VCC上保持高達(dá)+26V的工作電壓。如果VCC增加到超過典型的+30V，LM9061將關(guān)閉MOSFET以防止負(fù)載過大電壓。當(dāng)VCC恢復(fù)正常運(yùn)行時(shí)范圍設(shè)備將恢復(fù)正常運(yùn)行需要切換開/關(guān)輸入。此功能將允許MOSFET在周期性電壓瞬變的應(yīng)用中繼續(xù)運(yùn)行，如汽車應(yīng)用。對(duì)于負(fù)載對(duì)高壓敏感的電路可以使用圖5所示的電路。一個(gè)感應(yīng)輸入（引腳1）上的齊納將提供最大保護(hù)比較器的參考電壓。感覺此應(yīng)用中需要電阻器來限制齊納電流。當(dāng)設(shè)備打開時(shí)，負(fù)載電源試圖高于（VZENER+V閾值），保護(hù)比較器跳閘，延時(shí)定時(shí)器啟動(dòng)。如果高電源電壓條件持續(xù)足夠長的時(shí)間來延遲定時(shí)器超時(shí)時(shí)，MOSFET將被鎖定。這個(gè)開關(guān)輸入將需要切換以重新啟動(dòng)MOSFET。

反向電池

LM9061不受反極性電源的保護(hù)連接。如果VCC電源應(yīng)為負(fù)對(duì)于接地，來自VCC引腳的電流應(yīng)為限制為20毫安。增加一個(gè)二極管與建議使用VCC輸入。這種二極管的下降并沒有從電荷泵柵極過驅(qū)動(dòng)輸出電壓顯著降低。電池電量不足LM9061的另一個(gè)特點(diǎn)是欠壓關(guān)斷功能（UVSO）。典型的UVSO閾值為6.2V，而且沒有遲滯。當(dāng)VCC在保證最低工作電壓為7.0V，以及UVSO閾值，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的操作，延時(shí)定時(shí)器和保護(hù)電路不可靠。應(yīng)避免在這一地區(qū)作業(yè)。當(dāng)VCC低于UVSO閾值電荷泵將禁用，閘門將在正常關(guān)閉時(shí)排出電流吸收率，通常為110μA。圖6顯示了用作電子電路的LM9061斷路器。該電路提供低壓關(guān)斷、過電壓閉鎖關(guān)斷和過流閉鎖關(guān)斷。低壓停機(jī)使用“開”和“關(guān)”電壓閾值，以及典型的1.2V滯后，以禁用LM9061，如果VCC接近或低于7.0V最小工作電壓。低壓停機(jī)完成分壓器偏置VCC。分壓器就是電壓由R1（30 kΩ）、R2（82 kΩ）和內(nèi)部下拉式ON/OFF引腳的電阻器（典型值為30 kΩ）。正常運(yùn)行時(shí)，VCC將高于7.0V，并且On/Off引腳將偏向于“Off”以上閾值最大為1.5V（典型值為1.8V）。當(dāng)VCC下降到7.0V開/關(guān)引腳電壓將低于“關(guān)”閾值電壓和LM9061將關(guān)閉。在閂鎖關(guān)閉的情況下，電路可以復(fù)位關(guān)閉主電源，然后再打開。一個(gè)可選的，常開，從ON/OFF引腳切換（清除）到接地后，允許“按鈕清除”電路鎖定關(guān)閉。

這種分壓器布置需要一個(gè)機(jī)械裝置將ON/OFF引腳提高到3.5V的“ON”閾值以上當(dāng)VCC小于16V時(shí)，最小值（典型值為3.1V）。這可以通過第二個(gè)常開觸點(diǎn)完成，在R2（Set）上從ON/OFF引腳切換，以便閉合開關(guān)將使R2和ON/OFF引腳上的電壓短路通常是VCC的一半。當(dāng)VCC最小時(shí)工作電壓為7.0V，這將使ON/OFF引腳偏向大約3.5伏，導(dǎo)致LM9061接通。當(dāng)VCC通常在16.5V以上，電阻分壓器將接通/OFF引腳偏置超過3.5V，電阻R2短路不需要。

而外部電阻值的標(biāo)度

VCC和ON/OFF輸入引腳，與內(nèi)部30 kΩ相對(duì)電阻器，可以用來增加啟動(dòng)電壓，是嗎重要的是，電阻比始終有ON/OFF引腳當(dāng)VCC低于時(shí)，偏差低于“關(guān)閉”閾值（1.5V）最小工作電壓為7.0V。這種分壓器布置的精度受到影響通過“開”和“關(guān)”的正常制造變化電壓閾值和內(nèi)部電阻值開/關(guān)引腳。如果任何應(yīng)用程序需要用更大的精度當(dāng)VCC接近7.0V時(shí)，外部電壓應(yīng)使用監(jiān)視器驅(qū)動(dòng)開/關(guān)引腳。外部電壓監(jiān)視器也將消除切換至短R2以啟動(dòng)LM9061和R2。

申請(qǐng)信息（續(xù)）

驅(qū)動(dòng)MOSFET陣列

LM9061是任何需要多個(gè)并聯(lián)MOSFET以提供所需負(fù)載電流。只需要一些“常識(shí)性”的預(yù)防措施有待觀察。陣列中的所有MOSFET必須具有相同的電氣和熱特性。這是可以解決的使用同一制造商的相同零件號(hào)陣列中所有的MOSFET。還有，所有MOSFET應(yīng)該有相同風(fēng)格的散熱器，或者，理想情況下，全部安裝在同一個(gè)散熱器上。的電氣連接MOSFET應(yīng)該得到特別關(guān)注。帶典型RDS（開）值在幾十毫歐姆范圍內(nèi)，一個(gè)不良的電氣其中一個(gè)MOSFET的連接會(huì)使它在電路。

此外，MOSFET在柵電容正常關(guān)斷放電期間的損耗最小為70μA和110μA典型的，需要考慮。需要特別注意的是，在發(fā)生故障的情況下，閂鎖關(guān)閉電流匯（典型值為10μa）可能不會(huì)能夠及時(shí)放電總柵電容防止MOSFET損壞的方法。圖7顯示了一個(gè)具有四個(gè)并聯(lián)NDP706A MOS  fet的電路。這種特殊的MOSFET有一個(gè)典型的RDS（ON）TJ為25°C時(shí)為0.013Ω，TJ為+125°C時(shí)為0.020Ω。當(dāng)VDS的閾值電壓設(shè)置為500 mV時(shí)電路將提供150A的典型最大負(fù)載電流25˚C，125˚C時(shí)典型最大負(fù)載電流為100A。每個(gè)MOSFET的最大功耗將接近20W在25°C時(shí)，在125°C時(shí)為12.5W。四個(gè)設(shè)備中的每一個(gè)都不相同，一個(gè)有效的散熱片將在操作時(shí)，必須使TJ盡可能低接近最大負(fù)載電流。

增加MOSFET開啟時(shí)間

LM9061快速開啟MOSFET的能力是MOSFET管理中的一個(gè)重要因素功耗。在開啟MOS2FET時(shí)，應(yīng)小心操作柵極驅(qū)動(dòng)電流。MOSFET平均損耗，和LM9061延遲時(shí)間，必須用延長開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間。圖8顯示了一種增加MOSFET匝數(shù)的方法準(zhǔn)時(shí)，不影響關(guān)機(jī)時(shí)間。用這種方法門是以指數(shù)速率充電的外柵電阻和MOSFET柵電容

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